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MMG50S170B6EN制造商,mmg50sb6tc具有高达40%的功耗和低于5v的功率损耗。它采用了新型的封装，以及其他一些水平较高的封装技术，包括高速缓冲存储器、高性能数据通讯模块和多种工业级芯片。mmg50sb6tc是mmp系列中可选择性封装。mmg50sb6tc的封装采用了新型的封装，可以提供高达40%功耗和低于5v的功率损耗。此外，mmg50sb6tc还具有一个外部开关和一个内部开关。这两种功能都是由mmg30st提供的。mmg50sb6tc采用了一个高性能封装，它具有低功耗和高可靠性，以及低成本等优点。mmg50sb6tc采用的igbt模块是在2单元igbt模块上集成了2个单元igbt模块，该器件具备快速转换和节能环保特点。这些器件可用来满足多种应用。
MMG40S120B6UC供货商,MMG50SB6TC采用GS封装，以及采用2单元IGBT模块，该器件系列适用于开关电源转换器应用，具有快速转换，它具有高性能，效率高，节能环保等特点。它还具有高速开关电源转换和功率管理的优点，并能在不改变其输入电压的情况下实现低功耗。该器件的主要功率mosfet产品包括电池供应商、电力系统和医疗设备。这款产品可以提供高达4ghz的频率，可以支持高达赫兹的输入电压和5v的输出功率。该器件具有高度集成的封装结构，能够为开关电源应用提供优异性能。此外，这款产品还具有一个可扩展的电源适配器和一个可用于高性能开关电源设备中的多模转换器。
